碳化硅的 CVD 工艺是通过气相中的化学反应在基底上沉积碳化硅层。
这种工艺以生产高质量、纯净和均匀的碳化硅层而闻名。
由于碳化硅的独特性能，这些层对各种工业应用至关重要。
碳化硅具有低密度、高硬度、极高的硬度和出色的耐磨性。
什么是碳化硅的 CVD 工艺？4 个关键步骤说明
1.基底制备
使用金刚石研磨粉对基底（通常是硅）进行清洁和制备。
这可确保沉积过程有一个干净的表面。
通常使用硅，因为它能很好地与所需的晶体学取向保持一致。
2.气体引入
高纯甲烷与超高纯（UHP）氢气以 1:99 的比例混合。
这种混合物被引入反应器。
甲烷提供必要的碳源，而氢气则有助于化学反应并保持工艺的纯度。
3.加热和沉积
通过将基底加热至 800 °C 左右，为气体提供能量。
这将启动碳化硅沉积所需的化学反应。
这一步对沉积碳化硅层的质量和性能至关重要。
4.生长和形成
通电气体在高温下分解。
这导致基底表面发生化学反应，形成固态晶体碳化硅薄膜。
这一过程一直持续到达到所需的厚度和均匀性。
然后将固态产品从基底上剥离，并不断引入反应气体，使晶体薄膜生长。
这种 CVD 工艺可生产出电阻极低的碳化硅。
它适用于要求精细特征和高纵横比的应用，如电子和微机电系统设备。
CVD 工艺提供的精度和控制能力使其成为制造高质量碳化硅元件的首选。
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