更新于 1周前
直流磁控溅射和射频磁控溅射的主要区别在于施加到靶材上的电压类型及其对不同类型材料的适用性。
直流磁控溅射：
在直流磁控溅射中，对靶材施加恒定的直流电压。这种方法适用于导电材料，因为它涉及电子对气体等离子体的直接离子轰击。该工艺通常在较高的压力下运行，而压力的维持可能具有挑战性。直流溅射所需的电压范围为 2,000 至 5,000 伏特。射频磁控溅射：
另一方面，射频磁控溅射使用无线电频率（通常为 13.56 MHz）的交变电压。这种方法特别适用于非导电或绝缘材料，因为它可以防止直流溅射中可能出现的目标表面电荷积聚。由于真空室中电离粒子的比例很高，因此使用射频可以在较低的压力下进行操作。射频溅射所需的电压通常为 1,012 伏或更高，这对于达到与直流溅射相同的沉积速率是必不可少的。之所以需要较高的电压，是因为射频溅射使用动能从气体原子的外壳中去除电子，而不是直接进行离子轰击。
结论
射频等离子体增强化学气相沉积系统 射频等离子体增强化学气相沉积系统
RF-PECVD 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 DLC（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。
了解火花等离子烧结炉在快速、低温材料制备方面的优势。加热均匀、成本低且环保。
利用我们的真空感应熔炼炉获得精确的合金成分。是航空航天、核能和电子工业的理想之选。立即订购，有效熔炼和铸造金属与合金。
使用我们的真空悬浮熔炼炉体验精确熔炼。采用先进技术进行有效熔炼，是高熔点金属或合金的理想之选。立即订购，获得高质量的结果。
使用我们的真空熔融纺丝系统，轻松开发可蜕变材料。非常适合非晶和微晶材料的研究和实验工作。立即订购，获得有效成果。
了解圆柱形谐振器 MPCVD 设备，这是一种微波等离子体化学气相沉积方法，用于在珠宝和半导体行业中生长钻石宝石和薄膜。了解其与传统 HPHT 方法相比的成本效益优势。
以合理的价格为您的实验室需求提供高质量的碳化硼材料。我们可定制不同纯度、形状和尺寸的碳化硼材料，包括溅射靶材、涂层、粉末等。
用于实验室和金刚石生长的钟罩式谐振器 MPCVD 金刚石设备
使用我们专为实验室和金刚石生长设计的 Bell-jar Resonator MPCVD 设备获得高质量的金刚石薄膜。了解微波等离子体化学气相沉积如何利用碳气和等离子体生长金刚石。
在电子枪光束蒸发中，坩埚是一种容器或源支架，用于盛放和蒸发要沉积到基底上的材料。
了解真空电弧炉在熔化活性金属和难熔金属方面的强大功能。高速、脱气效果显著、无污染。立即了解更多信息！
纳米金刚石复合涂层拉丝模以硬质合金（WC-Co）为基体，采用化学气相法（简称 CVD 法）在模具内孔表面涂覆传统金刚石和纳米金刚石复合涂层。
了解带隔热罩的高配置钼真空炉的优势。非常适合蓝宝石晶体生长和热处理等高纯度真空环境。
了解真空热压炉的优势！在高温高压下生产致密难熔金属和化合物、陶瓷以及复合材料。
利用真空管式热压炉降低成型压力并缩短烧结时间，适用于高密度、细粒度材料。是难熔金属的理想选择。
真空钼丝烧结炉为立式或卧式结构，适用于在高真空和高温条件下对金属材料进行退火、钎焊、烧结和脱气处理。它也适用于石英材料的脱羟处理。
