说到薄膜沉积，了解直流和射频磁控溅射之间的区别至关重要。
这两种方法的区别主要在于施加到靶材上的电压类型以及它们对不同材料的适用性。
需要了解的 4 个要点
1.直流磁控溅射
在直流磁控溅射中，对靶材施加恒定的直流电压。
这种方法适用于导电材料。
它涉及电子对气体等离子体的直接离子轰击。
该工艺通常在较高的压力下运行，而压力的维持可能具有挑战性。
直流溅射所需的电压范围为 2,000 至 5,000 伏特。
2.射频磁控溅射
射频磁控溅射使用无线电频率（通常为 13.56 MHz）的交变电压。
这种方法特别适用于非导电或绝缘材料。
它可以防止直流溅射中可能出现的目标表面电荷积聚。
由于真空室中电离粒子的比例很高，因此使用射频可以在较低的压力下进行操作。
射频溅射所需的电压通常为 1,012 伏或更高，这对于达到与直流溅射相同的沉积速率是必不可少的。
之所以需要较高的电压，是因为射频溅射使用动能从气体原子的外壳中去除电子，而不是直接进行离子轰击。
3.共同点
直流和射频磁控溅射都涉及惰性气体原子的电离，以沉积薄膜。
它们的不同之处在于所使用的电压类型以及对不同材料的适用性。
4.选择正确的方法
对于导电材料而言，直流溅射更为直接有效。
射频溅射通过有效管理电荷积聚，具有可处理绝缘材料的优势。
选择直流溅射还是射频溅射取决于靶材的材料特性和沉积工艺的具体要求。
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