溅射和电子束蒸发都是用于制造薄膜的物理气相沉积（PVD）形式。不过，它们的沉积过程和特点各不相同。
溅射是使用通电等离子体原子（通常是氩气）射向带负电荷的源材料。通电原子的冲击力会导致源材料中的原子断裂并附着在基底上，从而形成薄膜。溅射发生在一个封闭的磁场中，并在真空中进行。与电子束蒸发相比，溅射的温度较低，沉积率也较低，尤其是对电介质而言。不过，溅射能为复杂基底提供更好的涂层覆盖率，并能形成高纯度薄膜。
另一方面，电子束蒸发是热蒸发的一种形式。它将电子束聚焦到源材料上，产生极高的温度，使材料蒸发。电子束蒸发发生在真空室或沉积室中。它更适合大批量生产和薄膜光学涂层。但是，它不适合在复杂几何形状的内表面镀膜，而且会因灯丝退化而产生不均匀的蒸发率。
总之，溅射和电子束蒸发的主要区别在于
1.沉积过程：溅射利用通电等离子体原子从源材料中溅射出原子，而电子束蒸发则利用高温蒸发源材料。
2.温度：溅射的温度低于电子束蒸发。
3.沉积速率：电子束蒸发的沉积率通常高于溅射，尤其是在电介质方面。
4.涂层覆盖率：溅射可为复杂基底提供更好的涂层覆盖率。
5.应用：电子束蒸发通常用于大批量生产和薄膜光学涂层，而溅射则用于要求高度自动化的应用。
在为特定的 PVD 应用选择合适的方法时，必须考虑这些差异。
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