在溅射中，工艺压力是控制薄膜质量的主要杠杆。 它直接控制着从靶材到基板的溅射粒子在传输过程中的能量。这种能量反过来决定了诸如密度、附着力、光滑度和内应力等关键薄膜特性。
要理解的核心原则是：溅射压力控制着一个关键的权衡。降低压力会增加溅射原子的能量——这通常会提高薄膜的密度和附着力——但压力降得太低可能会使等离子体不稳定并引入缺陷。
物理学原理：压力如何改变溅射环境
要理解这些影响，我们必须首先看看腔室内的环境。关键在于理解在溅射靶材和基板之间存在多少气体原子（通常是氩气）。
定义平均自由程
平均自由程 是一个粒子在与另一个粒子碰撞之前可以行进的平均距离。
在高压下，腔室内充满了气体原子。平均自由程非常短，这意味着溅射原子在到达基板的途中会发生多次碰撞。
在低压下，腔室的拥挤程度大大降低。平均自由程很长，溅射原子在到达之前可能经历很少甚至没有碰撞。
能量至关重要
溅射原子与气体原子之间的每次碰撞都会导致溅射原子损失动能并改变其方向。
因此，工艺压力是控制构成薄膜的原子的最终到达能量的控制旋钮。
降低溅射压力的影响
降低工作气体压力通常是为了制造出适用于要求苛刻应用的高质量薄膜。
粒子能量增加
由于平均自由程更长，溅射原子保留了大部分初始高能量。它们像高能射弹一样到达基板，以更直接的视线路径行进。
更致密、更光滑的薄膜
这些高能原子在基板表面具有足够的迁移率，可以移动、找到最稳定的晶格位置并填充微观空隙。这个过程被称为原子轰击（atomic peening），它形成了更致密、孔隙更少、结构更光滑的薄膜。
附着力改善
高动能有助于到达的原子轻微植入基板表面，从而形成更强的界面键合并显著改善薄膜附着力。
理解权衡：低压的危险
尽管低压带来了显著的好处，但将其推得太远会产生另一组问题。对于任何给定的工艺，总有一个最佳窗口。
等离子体不稳定
溅射需要稳定的等离子体（辉光放电）才能正常工作。如果压力太低，气体原子不足以可靠地维持等离子体，可能导致其变得不稳定或完全熄灭。
缺陷的形成
在极低压力下不稳定或非理想的沉积机制可能导致薄膜生长不良。这可能表现为薄膜密度降低以及晶体缺陷（如“针状缺陷”）的形成。
沉积速率降低
虽然质量可能更高，但较低的压力通常意味着轰击靶材的氩离子可用性较低，这可能会降低整体溅射速率并增加工艺时间。
提高溅射压力的影响
相反，在高压下操作会产生截然不同的薄膜。
粒子能量降低
由于平均自由程短，溅射原子会经历多次碰撞。它们到达基板时能量很低，通过气体扩散而不是直接行进。
多孔、柱状薄膜
低能原子在表面的迁移率有限。它们倾向于“落在哪里就粘在哪里”，导致薄膜更具孔隙率，具有明显的柱状晶粒结构和较低的密度。
沉积速率提高（在一定范围内）
较高的压力可以增加等离子体的密度，从而增加轰击靶材的离子通量，进而提高沉积速率。这通常是高吞吐量应用所需的必要权衡。
为您的工艺做出正确的选择
选择正确的压力不是要找到一个单一的“最佳”值，而是要将参数与您的特定目标相匹配。
- 如果您的主要关注点是最高的薄膜质量（例如，用于光学涂层或半导体）： 从较低的工艺压力开始，以最大化粒子能量，形成致密、光滑且附着力好的薄膜。
- 如果您的主要关注点是高吞吐量和速度： 适度较高的压力可以提高沉积速率，但您必须接受薄膜密度和性能可能有所下降。
- 如果您的主要关注点是平衡、稳定的工艺： 目标是找到在保持等离子体稳定并提供满足您需求的合格沉积速率的最低可能压力。
最终，掌握压力是通过精确控制粒子能量来实现您所需的薄膜特性的过程。
总结表：
| 压力水平 | 粒子能量 | 薄膜特性 | 主要应用 |
|---|---|---|---|
| 低压 | 高能量，直接路径 | 致密、光滑、附着力强 | 光学涂层、半导体 |
| 高压 | 低能量，扩散路径 | 多孔、柱状、沉积速度快 | 高吞吐量涂层 |
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