等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是一种用于在基底上将薄膜从气态沉积为固态的方法。
与传统的化学气相沉积（CVD）技术相比，该工艺的特点是能够在较低的温度下运行。
因此，它适用于在无法承受高温的表面沉积涂层。
什么是 PECVD 技术？4 个要点说明
1.等离子体的产生
在 PECVD 系统中，等离子体是通过在两个电极之间施加射频或直流放电产生的。
这种放电使腔体中的气体电离，变成等离子体。
等离子体是一种物质状态，在这种状态下，电子从其母体原子中分离出来，形成一个高能环境。
2.化学反应
等离子体中的高能条件促进了前驱气体的解离，这些气体被引入腔室。
这些解离气体随后发生化学反应，形成新的化合物，以薄膜的形式沉积在基底上。
与完全依靠热量驱动反应的传统 CVD 工艺相比，使用等离子体可使这些反应在更低的温度下进行。
3.薄膜沉积
等离子体中化学反应的产物沉积到基底上，形成薄膜。
薄膜可由各种材料组成，具体取决于所使用的前驱体气体。
通过选择前驱体气体和等离子条件来控制薄膜的化学成分是 PECVD 的一大优势。
4.应用和优势
PECVD 能够在低温下沉积薄膜，这对温度敏感基底的完整性至关重要，因此被广泛应用于半导体行业。
此外，对薄膜化学成分的可调控制使 PECVD 适用于各种应用，包括制造具有特定电气、光学或机械性能的薄膜。
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