气相沉积是各行各业的一项重要技术，尤其是在电子、光学和机械部件的制造中。
该工艺主要包括两种方法：化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。
每种方法在基底上沉积薄膜时都有不同的机制和步骤。
4 种主要方法说明
1.化学气相沉积（CVD）
CVD 是一种在气相中通过化学反应将固体薄膜沉积在加热表面上的过程。
该过程通常包括三个主要步骤：
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挥发性化合物的蒸发:要沉积的物质首先要转化为挥发性形式，通常是通过加热。
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热分解或化学反应:蒸汽经过热分解变成原子和分子，或与基底表面的其他蒸汽、气体或液体发生反应。
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非挥发性反应产物的沉积:化学反应产物现在处于非挥发性状态，沉积在基底上形成薄膜。
CVD 工艺通常需要高温（约 1000°C）和几托至大气压以上的压力。
这种方法可通过等离子体进一步增强，称为等离子体增强 CVD（PECVD），通过为表面反应增加动能来降低加工温度。
2.物理气相沉积（PVD）
PVD 是指在通电气体或等离子体中将材料沉积到基底上，通常处于部分真空状态。
该工艺与 CVD 不同，它不涉及化学反应，而是物理过程，如冷凝或蒸发：
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蒸汽的产生:材料被加热到熔点或熔点以上，产生蒸汽。
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传输和沉积:然后蒸汽在真空中传输并沉积到目标表面。
PVD 工艺的优势在于能够以原子或分子为单位将金属和非金属沉积成薄层。
PVD 所使用的真空环境有助于更好地控制沉积过程和薄膜质量。
3.对比
虽然 CVD 和 PVD 都涉及从气相沉积材料，但 CVD 依靠化学反应形成薄膜，而 PVD 涉及冷凝或蒸发等物理过程。
CVD 通常需要较高的温度和压力，并可通过等离子体来降低加工温度。
而 PVD 则在真空下进行，不需要化学反应，因此适用于多种材料和应用。
4.工业应用
这些工艺是制造各种电子、光学和机械部件的基础，可精确控制沉积薄膜的性能。
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