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气相沉积工艺主要包括两种方法：化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。每种方法在基底上沉积薄膜时都有不同的机制和步骤。

化学气相沉积（CVD）

1. 化学气相沉积是一种通过气相化学反应在加热表面沉积固体薄膜的工艺。该过程通常包括三个主要步骤：挥发性化合物的蒸发

2. :要沉积的物质首先要转化为挥发性形式，通常是通过加热。这一步骤可确保材料能以气相形式被输送到基底上。热分解或化学反应

3. :蒸汽经过热分解变成原子和分子，或与基底表面的其他蒸汽、气体或液体发生反应。这一步至关重要，因为它启动了薄膜形成所需的化学转化。非挥发性反应产物的沉积

:化学反应产物现在处于非挥发性状态，沉积在基底上形成薄膜。这一步涉及薄膜的逐层实际形成。

CVD 工艺通常需要高温（约 1000°C）和几托至大气压以上的压力。这种方法可通过等离子体（即等离子体增强型 CVD (PECVD)）进一步增强，通过在表面反应中增加动能来降低加工温度。物理气相沉积（PVD）

1. PVD 是指在通电气体或等离子体中将材料沉积到基底上，通常处于部分真空状态。该工艺与 CVD 不同，它不涉及化学反应，而是物理过程，如冷凝或蒸发：

2. 蒸汽的产生:将材料加热到熔点或熔点以上，产生蒸汽。这可以通过溅射、蒸发或电子束加热等各种方法实现。

传输和沉积

:蒸汽随后在真空中传输并沉积到目标表面。原子或分子均匀扩散，形成纯度和厚度一致的涂层。PVD 工艺的优势在于能够将金属和非金属逐个原子或分子沉积成薄层。PVD 使用的真空环境有助于更好地控制沉积过程和薄膜质量。

对比