等离子体沉积是一种复杂的工艺，用于在各种材料上形成薄膜。
它是利用等离子体中的高能带电粒子从目标材料中释放出原子。
然后将这些原子沉积到基底上形成薄膜。
这种工艺用途广泛，可用于不同尺寸和形状的物体。
什么是等离子沉积工艺？5 个关键步骤说明
1.等离子体的产生
等离子体是通过电离溅射气体（通常是氩气或氙气等惰性气体）产生的。
这是通过电极间的放电实现的，能量通常在 100 - 300 eV 之间。
这种放电会在基底周围形成一个发光鞘，从而产生热能，推动化学反应。
2.原子释放
等离子体中的高能带电粒子会侵蚀目标材料的表面。
这种侵蚀会释放出中性原子。
这些中性原子可以逃离等离子体中的强电磁场，并与基底发生碰撞。
3.薄膜沉积
与基底碰撞后，释放出的原子沉积下来，形成薄膜。
导致沉积的化学反应首先发生在等离子体中，原因是前驱气体分子和高能电子之间发生碰撞。
然后，这些反应在基底表面继续进行，薄膜在基底表面生长。
4.控制和优化
沉积薄膜的特性，如厚度、硬度或折射率，可以通过调整气体流速和工作温度等参数来控制。
气体流速越高，沉积率越高。
5.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
这种化学气相沉积的变体使用由射频、直流或微波放电产生的等离子能量来激发活性气体并沉积薄膜。
沉积设备利用离子、自由电子、自由基、激发原子和分子的混合物在基底上形成金属、氧化物、氮化物和/或聚合物层。
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