磁控溅射系统是一种物理气相沉积技术，用于将薄膜从固体靶材料沉积到基底上。
溅射电压说明：
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电压应用： 向磁控管供电时，会向靶材施加负电压，通常为 -300 V 左右。该电压相对于周围的等离子体环境是负的，等离子体环境保持在较高的正电位。
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离子吸引： 靶上的负电压会吸引等离子体中的正离子。这些离子通常是溅射系统中的氩离子，由真空室中的氩气电离产生。
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能量转移和溅射： 当这些正离子与目标表面碰撞时，它们会传递能量。如果传递的能量大于目标材料表面结合能的三倍（约等于升华热），目标表面的原子就会被喷射出来，这一过程被称为溅射。
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等离子体的稳定性和效率： 由于磁场的作用，等离子体中的电子移动距离更长，从而增加了电离更多氩原子的概率，并保持了离子密度高的稳定等离子体。与需要较高电压（-2 kV 至 3 kV）和较低压力（约 10 Pa）的传统溅射相比，这种高效电离使溅射过程可以在较低的压力（约 100 Pa）和较低的电压（约 -500 V）下运行。
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低电压操作的优势： 与直流二极管溅射相比，磁控溅射在较低的电压（低于 1000 V）和较大的电流下工作效率更高。这种效率是由于磁场在靶材附近限制电子的作用，提高了电离，从而提高了沉积率。较低的电压还能使电弧不那么剧烈，更容易处理，这对于保持沉积过程的完整性和沉积薄膜的质量至关重要。
总之，磁控管装置中的溅射电压对于启动和维持溅射过程至关重要，其典型值约为 -300 V。这种电压设置有利于靶材料原子的有效喷射，从而沉积出具有可控特性的薄膜。
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