溅射法的基底温度通常为 200 至 400°C。
这一温度明显低于化学气相沉积（CVD）的温度，因此溅射法适用于热敏基底。
基底的温度对沉积薄膜的质量起着至关重要的作用，会影响薄膜的附着力、结晶度和应力等因素。
考虑溅射基底温度的 4 个关键因素
1.温度范围以及与 CVD 的比较
溅射的基底温度通常保持在 200 至 400°C 之间。
这一温度范围明显低于 CVD 工艺中通常使用的温度，因为 CVD 工艺中的温度可高得多。
较低的温度有利于热敏材料（如塑料）的涂层，因为这些材料在较高温度下可能会降解或变形。
2.对薄膜质量的影响
基底温度直接影响薄膜的性能。
温度越高，薄膜与基底的附着力越强，薄膜的结晶度也越均匀。
然而，过高的温度也会给薄膜带来应力，可能导致缺陷或机械性能不良。
因此，要优化薄膜的质量和性能，必须精确控制基底温度。
3.控制机制
为有效管理基底温度，可采用多种技术。
这些技术可能包括主动冷却系统、调整沉积步骤之间的等待时间，或将惰性气体引入真空室以缓和溅射粒子的动能。
这些方法有助于将基底保持在最佳温度，确保沉积出高质量的薄膜。
4.在溅射过程中的作用
在溅射过程中，溅射粒子的高动能（从 1 到 100 eV 不等）可确保它们与基底有效结合。
这些颗粒到达基底时的温度较低，可在不引起明显加热的情况下沉积材料，这对敏感基底尤为重要。
总之，溅射中的基底温度是一个关键参数，必须仔细控制，才能使沉积的薄膜达到所需的性能。
溅射的典型温度范围为 200-400°C，这使得溅射成为一种通用而有效的方法，可用于对多种材料（包括对高温敏感的材料）进行镀膜。
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