靶材溅射沉积是一种通过高能粒子轰击固体靶材将原子喷射出来以形成薄膜的工艺。这种技术广泛应用于半导体和计算机芯片的制造。
工艺概述：
该工艺从固体靶材料开始，通常是金属元素或合金，但陶瓷靶也用于特定应用。高能粒子（通常是等离子体中的离子）与靶材碰撞，导致原子喷射出来。这些射出的原子随后穿过腔室，沉积到基底上，形成一层均匀的薄膜。
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详细说明：目标材料：
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目标材料是薄膜沉积的原子源。它通常是一种金属元素或合金，根据所需的薄膜特性（如导电性、硬度或光学特性）来选择。当需要硬化涂层（如工具）时，则会使用陶瓷靶。
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高能粒子轰击：
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用高能粒子（通常是等离子体中的离子）轰击目标。这些离子具有足够的能量，可在目标材料内部产生碰撞级联。当这些级联以足够的能量到达靶材表面时，它们会将原子从靶材中喷射出来。这一过程受到离子入射角、能量以及离子和靶原子质量等因素的影响。溅射产量：
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溅射产率是每个入射离子喷射出原子的平均数量。它是溅射过程中的一个关键参数，因为它决定了沉积的效率。产率取决于多个因素，包括靶原子的表面结合能和晶体靶的取向。
沉积到基底上：
从靶材喷射出的原子穿过腔室，沉积到基底上。沉积在受控条件下进行，通常在真空或低压气体环境中进行，以确保原子均匀沉积，形成厚度一致的薄膜。
