化学气相沉积（CVD）是一种通常在 900°C 至 2000°C 的高温下运行的工艺。
这些高温对于沉积过程中的化学反应至关重要。
在 CVD 过程中，气相化学反应物发生反应，在基底上形成一层固态薄膜。
升高的温度会增加气体分子的运动和碰撞频率，从而提高反应速度。
这反过来又促进了沉积过程。
然而，高温也会带来一些挑战。
它们会导致零件变形和基底材料结构的变化。
这会降低基材的机械性能，削弱基材与涂层之间的结合力。
这些问题限制了基材的选择，并影响工件的质量。
为了应对这些挑战，目前的趋势是开发低温和高真空 CVD 工艺。
改良型 CVD 工艺，如等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 或等离子体辅助化学气相沉积 (PACVD)，可在较低温度下运行。
这些工艺的温度范围通常从室温到 350°C。
PECVD 和 PACVD 有助于减少具有不同热膨胀系数的薄膜层之间的应力。
这有助于保持涂覆设备或基底的完整性。
它还能提高电气性能和粘合质量。
总之，虽然传统 CVD 的工作温度较高（600°C 至 800°C），但随着技术的进步，已开发出工作温度明显更低的工艺。
这些低温工艺对于敏感基底和设备尤为有利。
它们可确保在不影响基底结构完整性的情况下获得高质量的涂层。
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