PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的温度范围为 200 至 400°C。当由于热循环问题或材料限制而需要较低温度加工时，就会使用 PECVD。它是 LPCVD（低压化学气相沉积）或硅热氧化的替代方法。
与传统的 CVD（化学气相沉积）方法相比，PECVD 具有多项优势。主要优势包括沉积温度较低、在不平整的表面上具有良好的一致性和阶跃覆盖率、薄膜工艺控制更严格以及沉积速率高。
标准的化学气相沉积通常在 600 到 800°C 的温度下进行，而 PECVD 的工作温度较低，从室温到 350°C 不等。在较高的 CVD 温度可能会损坏正在镀膜的设备或基底的情况下，PECVD 可在较低的温度范围内成功应用。在较低温度下工作还能减少具有不同热膨胀/收缩系数的薄膜层之间的应力，从而实现高效的电气性能和高标准的接合。
PECVD 常用于纳米制造中的薄膜沉积。与温度较高的 LPCVD 薄膜相比，PECVD 薄膜的质量可能较低，但沉积速率较高。例如，在 400°C 下使用 PECVD 的氮化硅 (Si3N4) 沉积速率约为 130Å/秒，而在 800°C 下使用 LPCVD 的沉积速率为 48Å/分钟，因此 PECVD 的速度约为 160 倍。
在操作参数方面，PECVD 系统通常使用射频电源来产生等离子体，还可使用附加电源来进一步改变薄膜特性。
总之，PECVD 的沉积温度范围为 200 至 400°C，当需要较低温度处理时，可选择 PECVD 而不是 LPCVD 或硅的热氧化。PECVD 具有较低的沉积温度、在不平整的表面上具有良好的一致性、严格的过程控制和较高的沉积速率等优点。
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