在低压化学气相沉积（LPCVD）过程中，多晶硅的温度通常约为 600°C 至 650°C。这一温度范围适合沉积对半导体器件栅极触点至关重要的高质量多晶硅薄膜。
说明：
-
LPCVD 工艺概述：
-
LPCVD 是半导体行业用于沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅等材料薄膜的一种方法。该工艺在低压（通常低于 133 Pa）下运行，可增强反应气体的扩散，提高薄膜在基底上沉积的均匀性。LPCVD 的温度：
-
LPCVD 工艺中的温度是影响沉积薄膜质量和性能的关键参数。多晶硅的沉积温度通常在 600°C 至 650°C 之间。这一温度范围可确保多晶硅薄膜具有良好的阶跃覆盖率、高纯度和出色的电气性能。
-
温度对多晶硅沉积的影响：
-
在指定的温度范围内，LPCVD 工艺中使用的反应气体（如硅烷或二氯硅烷）会发生热分解，导致多晶硅在基底上沉积。高温有助于实现高沉积率，并确保多晶硅薄膜致密、无缺陷。与其他 LPCVD 工艺的比较：
多晶硅的沉积温度约为 600-650°C，而二氧化硅和氮化硅等其他材料可能需要不同的温度。例如，二氧化硅可在 650°C 左右沉积，而氮化硅可在高达 740°C 的高温下沉积。温度的这些变化是根据每种材料沉积所需的特定化学反应而定制的。
