化学气相沉积（CVD）是一种通常使用硅、钨和钛等金属的工艺。
这些金属的使用形式多种多样，包括氧化物、碳化物、氮化物和其他化合物。
3 种关键金属的解释
1.硅
硅是 CVD 中使用的一种关键金属。
它通常以二氧化硅（SiO2）、碳化硅（SiC）和氮化硅（Si3N4）等形式使用。
二氧化硅具有优异的绝缘性能，因此常用于半导体制造。
二氧化硅通常采用低压化学气相沉积（LPCVD）法沉积。
碳化硅和氮化硅因其硬度和热稳定性而适用于各种工业应用。
2.钨
钨是另一种用于 CVD 工艺的金属。
由于钨的熔点高、电阻率低，它在半导体工业中特别用于制造触点和互连器件。
钨的 CVD 使用六氟化钨（WF6）作为前驱体。
它与氢发生反应，在基底上沉积钨。
3.氮化钛
氮化钛（TiN）因其坚硬的材料和良好的导电性能而被用于 CVD。
它通常用作半导体器件中的扩散屏障。
氮化钛还用作工具的涂层，以提高工具的耐用性和耐磨性。
这些金属及其化合物之所以被选中用于 CVD，是因为它们具有特殊的性能，适用于电子、光学和其他高科技行业的各种应用。
CVD 工艺可以精确控制这些材料的沉积，确保形成高质量、均匀的涂层和薄膜。
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