化学气相沉积（CVD）工艺通常使用硅、钨和钛等金属。这些金属的使用形式多种多样，包括氧化物、碳化物、氮化物和其他化合物。
硅:硅是 CVD 中使用的主要金属，通常以二氧化硅 (SiO2)、碳化硅 (SiC) 和氮化硅 (Si3N4) 等形式存在。二氧化硅因其优异的绝缘性能而常用于半导体制造，通常使用低压化学气相沉积（LPCVD）沉积。碳化硅和氮化硅因其硬度和热稳定性而适用于各种工业应用。
钨:钨是 CVD 工艺中使用的另一种金属，由于其熔点高、电阻率低，特别适用于半导体行业的触点和互连。钨的 CVD 使用六氟化钨（WF6）作为前驱体，与氢发生反应，在基底上沉积钨。
氮化钛:氮化钛（TiN）因其坚硬的材料和良好的导电性能而被用于 CVD。它通常用作半导体器件的扩散屏障和工具的涂层，以提高其耐用性和耐磨性。
这些金属及其化合物之所以被选中用于 CVD，是因为它们具有特殊的性能，适用于电子、光学和其他高科技行业的各种应用。CVD 工艺可以精确控制这些材料的沉积，从而确保高质量、均匀的涂层和薄膜。
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