磁控溅射技术发明于 20 世纪 70 年代，特别是 1974 年，由约翰-S-查平发明了平面磁控溅射源。
与二极管溅射等早期方法相比，这种技术能提供更高的沉积率，对基底的损害更小，从而彻底改变了薄膜沉积领域。
理解这一突破的 5 个要点
1.发展与发明
溅射本身的概念可追溯到 1852 年，但它主要用于沉积热蒸发无法实现的难熔金属薄膜。
随着溅射技术的发展，射频（RF）溅射技术的引入将其应用范围扩大到电介质薄膜。
然而，真正的突破是 20 世纪 70 年代发明的磁控溅射技术。
2.磁控溅射技术
磁控溅射的特点是在靶材表面增加一个封闭磁场。
该磁场通过增加靶表面附近电子和氩原子之间的碰撞概率来提高等离子体的生成效率。
该磁场建立的磁阱会导致次级电子的级联产生，从而进一步提高等离子体的产生和密度。
这使得溅射率更高，温度更低，是一种优于二极管溅射的方法。
3.影响和商业化
1974 年磁控溅射的引入标志着真空镀膜方法领域的重大进步。
它不仅提高了沉积率，还减少了对基底的损坏。
二十世纪六七十年代，这项技术在微电子和建筑玻璃等行业获得了商业成功。
如今，磁控溅射源在市场上有各种配置，包括圆形、矩形和管状，并通过工程磁场方法适用于特定应用。
4.结论
John S. Chapin 于 1974 年发明了磁控溅射技术，大大提高了溅射工艺的效率和适用性，使其成为各行业薄膜沉积的基础技术。
磁控溅射技术的开发是为了应对早期溅射方法的局限性，尤其是在速度和基底损坏方面，自此磁控溅射技术被广泛采用并不断发展。
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