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简介
超高温石墨化炉在真空或惰性气体环境中利用中频感应加热。感应线圈产生交变磁场，在石墨坩埚中感应出涡流，使其升温并向工件辐射热量，从而达到所需温度。该炉主要用于碳材料、碳纤维材料及其他复合材料的石墨化和烧结。它包括炉体、炉盖、加热传感器、保温层、电极引出装置、循环水分配系统、真空系统、温控系统等。电气系统包括一台60KVA的IGBT晶体管中频电源和水冷电缆，并配备了各种指示仪表和报警功能。控制部分采用15英寸触摸屏和可编程控制器PLC。
详情与部件
应用
超高温石墨化炉在广泛的行业中都有应用，包括：
- 陶瓷烧制
- 碳化物生长
- 碳化
- 石墨化
- 烧结
- 退火
- 钎焊
- 脱气
特点
超高温石墨化炉提供一系列先进的功能，为用户带来显著优势：
- 高温能力：该炉的温度可达2200°C，适用于广泛的高温应用。
- 高效率：石墨基炉效率极高，能耗更低，加热时间更短。
- 均匀加热：炉体设计确保炉腔内均匀加热，提供一致的结果。
- 真空或惰性气体环境：该炉可在真空或惰性气体环境中运行，可精确控制工件周围的氛围。
- 智能控制系统：该炉配备先进的触摸屏和可编程控制器，可实现精确的温度控制和监控。
- 安全特性：该炉具有过压、过流和断水等声光报警功能，确保操作安全。
原理
超高温石墨化炉基于中频感应加热原理运行。感应线圈产生交变磁场，在石墨坩埚中感应出涡流。这会产生高温，并辐射到工件上，使其达到所需温度。该炉用于碳材料、碳纤维材料和复合材料的石墨化和烧结。
优点
- 高温：超高温石墨化炉的温度可达2500°C，适用于各种高温处理和石墨化处理应用。
- 高效率：超高温石墨化炉采用中频感应加热原理，具有高效、加热均匀的优点。
- 均匀加热：超高温石墨化炉使用石墨坩埚产生高温并辐射到工件上，可以实现工件的均匀加热。
- 应用广泛：超高温石墨化炉适用于碳材料、碳纤维材料和其他复合材料的石墨化和烧结。
- 操作简便：超高温石墨化炉由15英寸触摸屏和可编程控制器PLC控制，操作简便。
- 安全可靠：超高温石墨化炉具有过压、过流、断水等声光报警功能，安全可靠。
技术规格
| 电源容量 | 60KVA |
| 电源 | 4000～8000Hz (自动跟踪) |
| 温度 | 3000℃ |
| 控温精度 | ±2℃ |
| 测温方式 | 1100℃～3000℃ |
| 有效工作区尺寸 | Φ200×200 mm (直径×高度) |
| 冷极限真空度 | 133Pa |
| 升压率 | 3.0 Pa/h |
| 保护气氛 | 氩气 氮气 |
| 充气压力 | ≤ 0.03MPa |
| 物料进出方式 | 顶部装卸 |
| 加热条件 | 气氛烧结 (惰性气体) |
FAQ
什么是石墨化炉？
What Is A Graphite Vacuum Furnace Used For?
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
超高温石墨化炉的工作原理是什么？
超高温石墨化炉的主要部件有哪些？
如何维护超高温石墨化炉？
石墨化炉的主要应用有哪些？
What Are The Main Types Of Graphite Vacuum Furnaces?
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
石墨化炉有哪些不同类型？
How Does A Graphite Vacuum Furnace Work?
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
石墨化炉是如何工作的？
What Are The Advantages Of Using A Graphite Vacuum Furnace?
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
使用石墨化炉有哪些优势？
What Temperature Range Can A Graphite Vacuum Furnace Achieve?
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
What Industries Benefit From Graphite Vacuum Furnaces?
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
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