等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种用于在较低温度下沉积薄膜的工艺，它利用等离子体的能量来驱动反应物与基底之间的化学反应。
当需要保持较低的晶片温度，同时实现所需的薄膜特性时，这种方法尤其有用。
等离子体增强 CVD 如何工作？5 个关键步骤说明
1.生成等离子体
在 PECVD 中，13.56 MHz 的射频能量用于启动和维持两个平行电极之间的辉光放电（等离子体）。
该等离子体由引入反应器的前驱气体混合物形成。
射频能量使气体分子电离，形成含有高浓度高能电子和离子的等离子体。
2.形成反应物
等离子体中的高能电子与气体分子碰撞，形成自由基和离子等活性物质。
由于其能量状态较高，这些物质的化学反应性比原来的气体分子更强。
3.薄膜沉积
反应物通过等离子体鞘（靠近基底的区域，等离子体电位下降到基底电位）扩散并吸附到基底表面。
表面发生化学反应，形成薄膜沉积。
由于等离子体为这些反应提供了必要的活化能，因此这一过程可以在比传统 CVD 低得多的温度下进行。
4.PECVD 的优点
低温沉积： PECVD 允许在足够低的温度下沉积薄膜，以防止损坏对温度敏感的基底。
这对于许多使用塑料或有机材料等基底的现代半导体应用来说至关重要。
薄膜与基底之间的良好结合： PECVD 的沉积温度低，可最大限度地减少薄膜与基底之间不必要的扩散和化学反应，从而提高粘附性，减少界面应力。
5.PECVD 中的微观过程
气体分子和电子碰撞： PECVD 中产生反应物的主要机制是气体分子与等离子体中的高能电子碰撞。
这些碰撞可导致形成各种活性基团和离子。
活性基团扩散： 等离子体中产生的活性基团可直接扩散到基底，参与沉积过程。
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