在 PVD（物理气相沉积）中，溅射和蒸发并不相同。它们是用于沉积薄膜的不同方法，各有自己的机理和特点。
溅射 包括使用高能离子轰击目标材料，使原子或分子从目标材料中喷射或 "溅射 "出来，然后沉积到基底上。这一过程通常在高真空环境中进行，以尽量减少与其他气体分子的碰撞。溅射中使用的离子可由等离子体产生，而目标材料通常是能抵抗高能粒子轰击的固体。
蒸发另一方面，蒸发是将源材料加热到一定温度，使其汽化。这也是在高真空环境下进行的，使汽化的原子或分子直接到达基底，而不受其他粒子的明显干扰。加热可通过各种方法实现，如电阻加热或电子束加热，具体取决于材料的特性和所需的沉积速率。
PVD 中溅射和蒸发的主要区别包括：
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材料去除机制:在溅射过程中，材料是通过高能离子的动量传递从靶材上去除的，而在蒸发过程中，材料是通过加热克服材料内部的结合力而去除的。
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沉积原子的能量:与蒸发原子相比，溅射原子通常具有更高的动能，这会影响沉积薄膜的附着力和微观结构。
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材料兼容性:溅射可用于多种材料，包括那些因熔点高或反应性强而难以蒸发的材料。对于熔点和蒸汽压较低的材料，蒸发通常更为直接。
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沉积速率:蒸发可实现较高的沉积速率，尤其是对于蒸汽压较高的材料，而溅射速率则较为适中，并取决于离子轰击效率。
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薄膜质量和均匀性:溅射通常能提供更好的薄膜均匀性和更致密的薄膜，这在某些应用中很有优势。蒸发也能产生高质量的薄膜，但可能需要更仔细地控制工艺参数才能达到相同的均匀度。
总之，虽然溅射和蒸发都可用于 PVD 沉积薄膜，但它们通过不同的物理过程运行，具有明显的优势和局限性。如何选择取决于应用的具体要求，如材料特性、薄膜质量、沉积速率和基底的性质。
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