化学沉积工艺是一套用于在基底上沉积薄层或厚层材料的技术。这些工艺在包括电子和光学在内的各行各业中至关重要，可用于制造改变基底特性的涂层。化学沉积的主要类型包括化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）。
化学气相沉积（CVD）：
- 化学气相沉积是将气态前驱体输送到基底表面，在基底表面发生化学反应形成固态层的过程。该过程包括几个步骤：反应气态物质的传输：
- 将含有所需化学元素的气体引入沉积室并输送到基底。物种吸附：
- 气态物质吸附在基底表面。异相表面催化反应：
- 在基底或其他催化剂的促进下，在表面发生化学反应。物种向生长点的表面扩散：
- 反应物在表面移动，形成均匀的膜层。薄膜的成核和生长：
- 新形成的分子开始聚集，形成连续的薄膜。气态反应产物的解吸：
将反应的副产物从表面去除，并将其排出腔室。
化学气相沉积技术多种多样，如常压化学气相沉积（APCVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和气溶胶辅助化学气相沉积，每种技术都针对特定的应用和材料。原子层沉积 (ALD)：
原子层沉积（ALD）是一种控制性更强的化学气相沉积，其沉积过程分为自限制循环，可精确控制沉积层的厚度和均匀性。每个循环通常包括依次引入的两种或两种以上的前驱体气体。第一种前驱气体吸附在表面上，使所有可用位点达到饱和，然后引入第二种前驱气体，与第一种前驱气体发生反应。此过程重复进行，逐个原子形成所需的层厚度。
其他沉积方法：
