低压化学气相沉积（LPCVD）是电子工业中使用反应气体在低压下将薄层材料沉积到基底上的一种技术。使用 LPCVD 沉积的主要材料包括多晶硅、氮化硅和氧化硅。
多晶硅： 多晶硅是一种常用于 LPCVD 工艺的材料。它是由硅烷（SiH4）或二氯硅烷（SiH2Cl2）等气体在通常为 600°C 至 650°C 的温度下反应形成的。多晶硅的沉积对半导体器件的制造至关重要，尤其是在形成栅电极和互连器件时。
氮化硅： 氮化硅是另一种经常使用 LPCVD 沉积的材料。氮化硅以其优异的阻隔湿气和其他污染物的特性而著称，因此非常适合用于钝化层和电容器中的绝缘体。沉积过程通常包括二氯硅烷（SiH2Cl2）和氨气（NH3）等气体在约 700°C 至 800°C 的温度下发生反应。生成的薄膜致密，具有良好的热稳定性和化学稳定性。
氧化硅： 氧化硅通常用于 LPCVD，如栅极电介质和层间电介质。它是通过硅烷（SiH4）和氧气（O2）等气体的反应或通过使用正硅酸四乙酯（TEOS）和臭氧（O3）在 400°C 至 500°C 的温度下形成的。氧化硅层具有良好的电绝缘性，可轻松集成到各种半导体制造工艺中。
LPCVD 工艺能够生产出均匀、高质量且重现性良好的薄膜，因而备受青睐。这些工艺中使用的低压最大限度地减少了不必要的气相反应，提高了沉积薄膜的均匀性和质量。此外，LPCVD 中对温度的精确控制确保了晶圆内、晶圆间和运行间的优异均匀性，这对半导体器件的性能和可靠性至关重要。
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