硅沉积是各行各业，尤其是半导体制造业的关键工艺。
硅沉积有两种主要方法：物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
这些工艺对于在基底上沉积薄层硅及其化合物至关重要。
这些层的厚度从几纳米到几微米不等。
硅沉积的方法有哪些？4 种关键技术说明
1.物理气相沉积（PVD）
物理气相沉积是一种将材料气化成气相，然后凝结在基底上的方法。
这种技术通常用于沉积金属和某些半导体薄膜。
不过，在所提供的参考资料中，并没有详细介绍 PVD 在硅沉积中应用的具体细节。
2.化学气相沉积（CVD）
CVD 是一种更常用的硅沉积方法。
它是通过气体前驱体之间的化学反应形成薄膜。
本参考文献详细介绍了几种可使用化学气相沉积法沉积的硅薄膜。
2.1 二氧化硅沉积
二氧化硅（SiO2）是利用二氯硅烷或硅烷等硅前驱体气体与氧气和氧化亚氮等氧前驱体结合沉积而成的。
该过程通常在低压（几毫托到几托）下进行。
这种方法对于在光伏电池中形成钝化层至关重要。
2.2 氮化硅沉积
氮化硅薄膜由硅烷和氨气或氮气形成。
由于氢的大量存在，这些等离子沉积薄膜并非纯氮化物。
氢会影响诸如红外和紫外吸收、稳定性、机械应力和导电性等特性。
2.3 掺杂多晶硅
为了改变多晶硅的电气性能，通常会对其进行掺杂。
参考文献中提到了三种方法：熔炉掺杂、离子注入和原位掺杂。
熔炉掺杂法是从液体、固体或气体中预先掺入掺杂剂，但缺乏过程控制。
离子注入法因其对掺杂深度的精确控制而更受青睐。
原位掺杂是指在沉积过程中加入二硼烷或磷化氢等掺杂气体。
这可能会使批量反应器中的工艺控制复杂化，但在单晶片反应器中是可以控制的。
2.4 其他硅化合物的沉积
CVD 还可用于沉积硅锗等其他硅化合物。
这些化合物对各种半导体应用非常重要。
3.其他沉积技术
参考文献还简要提到了能够沉积低至单个原子级薄膜层的其他方法。
这些方法包括掺杂纯硅，使其具有半导体特性。
较新的方法涉及聚合物化合物的沉积，以应用于柔性太阳能电池和有机发光二极管。
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