CVD（化学气相沉积）工艺是一种在基底上生成薄膜的复杂方法。
它包括几个关键步骤，以确保准确、高效地沉积出所需薄膜。
CVD 工艺涉及哪 6 个关键步骤？
1.前驱体进料
将前驱体化学品送入 CVD 反应器。
这些前驱体可以是气体或蒸汽，它们将发生反应，在基底上形成所需的薄膜。
2.传输到基底表面
前驱体分子进入反应器后，需要被输送到基底表面。
这通常是通过流体传输和扩散的组合来实现的。
3.吸附
到达基底表面的前驱体分子必须吸附在基底表面。
吸附是前体分子粘附到表面的过程。
4.表面反应
吸附后，前驱体分子会在基底表面或其附近发生化学反应。
这些反应可以是热反应，也可以是等离子体辅助反应，具体取决于所使用的特定 CVD 方法。
5.解吸
表面反应发生后，副产物分子和未反应的前驱体分子需要从基底表面解吸。
这就为更多进入的前驱体分子继续沉积过程留出了空间。
6.废料处理
CVD 过程会产生废料、副产品和未反应的前驱体气体。
需要对这些废料进行处理并从反应室中清除，以保持环境清洁并防止污染。
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