化学气相沉积（CVD）工艺是一种复杂的方法，用于将所需材料的薄膜沉积到基底表面。
CVD 工艺的 6 个关键步骤是什么？
1.引入前驱体化学品
前驱体化学品是所需薄膜材料的来源，被送入 CVD 反应器。
通常的做法是将反应气体和稀释剂惰性气体以规定的流速引入反应室。
2.前驱体分子的传输
进入反应器后，前驱体分子需要被输送到基底表面。
这是通过流体传输和扩散相结合的方式实现的。
反应气体在反应器内流动模式的引导下向基底移动。
3.基底表面吸附
前驱体分子到达基底表面后，会吸附或附着在基底表面。
这一吸附过程受温度、压力和基底材料特性等因素的影响。
4.化学反应
吸附到基底表面后，前驱体分子会与基底材料发生化学反应。
这些反应会形成所需的薄膜。
具体反应取决于前驱体和基底材料的性质。
5.副产品的解吸
在化学反应过程中，还会产生副产物分子。
这些副产物需要从基底表面解吸，以便为更多的前驱体分子留出空间。
可以通过控制反应腔内的温度和压力条件来促进解吸。
6.排出副产品
反应的气态副产物通过排气系统排出反应室。
这有助于维持反应腔内所需的化学环境，并防止不需要的副产品积累。
值得注意的是，CVD 过程既可以发生在基底表面，也可以发生在反应器大气中的气相中。
基片表面的反应称为异相反应，在形成高质量薄膜的过程中起着至关重要的作用。
CVD 工艺在一个封闭的反应室中进行，通常包括气体源及其进料管路、用于气体控制的质量流量控制器、用于加热基底的加热源、用于监测的温度和压力传感器、用于固定基底的石英管以及用于处理产生的任何有害副产物气体的排气室等组件。
总之，CVD 工艺包括前驱化学品的受控引入、传输、吸附、反应和排空，从而在基底表面沉积所需材料的薄膜。
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