CVD（化学气相沉积）工艺的步骤可概述如下：
1) 引入前体化学品：将作为所需薄膜材料来源的前体化学品送入 CVD 反应器。通常是将反应气体和稀释剂惰性气体以规定的流速引入反应室。
2) 前驱体分子的传输：进入反应器后，前驱体分子需要被输送到基底表面。这是通过流体传输和扩散相结合来实现的。反应气体在反应器内流动模式的引导下向基底移动。
3) 基质表面吸附：前驱体分子到达基底表面后，会吸附或附着在基底表面。这一吸附过程受温度、压力和基底材料特性等因素的影响。
4) 化学反应：吸附到基底表面后，前体分子会与基底材料发生化学反应。这些反应会形成所需的薄膜。具体反应取决于前驱体和基底材料的性质。
5) 副产品的解吸：在化学反应过程中会产生副产物分子。这些副产物需要从基底表面解吸，以便为更多进入的前驱体分子腾出空间。可以通过控制反应腔内的温度和压力条件来促进解吸。
6) 副产品的排空：反应过程中产生的气态副产物会通过排气系统排出反应室。这有助于保持反应腔内理想的化学环境，并防止不需要的副产物积累。
值得注意的是，CVD 过程既可以发生在基底表面，也可以发生在反应器大气中的气相中。基片表面的反应称为异相反应，在形成高质量薄膜的过程中起着至关重要的作用。
CVD 工艺在一个封闭的反应室中进行，通常包括气体源及其进料管路、用于气体控制的质量流量控制器、用于加热基底的加热源、用于监测的温度和压力传感器、用于固定基底的石英管以及用于处理产生的任何有害副产物气体的排气室等组件。
总之，CVD 工艺涉及前驱化学品的可控引入、传输、吸附、反应和排空，从而将所需材料的薄膜沉积到基底表面。
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