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PVD（物理气相沉积）的一个例子是使用溅射法在基底上沉积金属薄膜，而 CVD（化学气相沉积）的一个例子是通过热 CVD 在半导体晶片上沉积硅层。

PVD 示例：溅射

在溅射过程中，用高能粒子（通常是离子）轰击目标材料（要沉积的材料），使目标材料中的原子喷射出来并沉积到基底上。这种方法是 PVD 的一种形式，因为沉积是通过物理方式而不是化学反应进行的。溅射法广泛应用于电子工业，用于在半导体晶片上沉积铜、铝或金等金属薄膜。溅射法的优点是可以产生高度均匀和粘合的涂层，因此非常适合需要精确控制薄膜厚度和特性的应用。CVD 示例：用于硅沉积的热 CVD

热 CVD 是将硅前驱体气体（如硅烷 (SiH4)）引入反应室，并将其加热至高温。在高温下，前驱体气体分解，硅原子沉积到加热的基底（通常是半导体晶片）上。这一过程会形成一层薄薄的硅层，这对电子设备的制造至关重要。热化学气相沉积过程中发生的化学反应负责硅层的沉积，因此被称为化学气相沉积。化学气相沉积之所以受到青睐，是因为它能形成高质量、致密和保形的涂层，这对半导体器件的性能至关重要。