CVD（化学气相沉积）和 PVD（物理气相沉积）工艺的主要区别在于涂层材料的状态和所使用的沉积机制。
在 CVD 过程中，涂层材料处于气态，并在基材表面发生化学反应。这种化学反应将 CVD 与 PVD 工艺区分开来，后者通常不涉及化学反应。CVD 涂层的沉积是在流动的气态下进行的，从而形成弥散和多向沉积。这意味着涂层可以更均匀地涂覆在不平整的表面上。
另一方面，PVD 是将固体物理粒子气化成等离子体，这是一种视线沉积。PVD 中的涂层材料为固态，在基材表面凝结前会转化为气体。PVD 工艺不像 CVD 那样涉及化学反应。
另一个不同点是，与 PVD 工艺相比，CVD 工艺往往消耗更多的资源，对硬涂层工艺的能耗和材料流的研究就证明了这一点。CVD 消耗较高的原因是化学反应中涉及的额外步骤和涂层材料的流动气态。
就涂层效果而言，PVD 在涂层基材的侧面和背面的表现可能较差，而 CVD 技术则能在不平整的表面上形成更均匀的薄涂层。
CVD 和 PVD 工艺都用于在基底材料上形成薄膜，但两者使用的具体技术和机制有所不同。在 CVD 和 PVD 之间做出选择取决于成本、易用性和特定应用所需的涂层效果等因素。
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