CVD（化学气相沉积）和 ALD（原子层沉积）是用于制造半导体器件和涂层的薄膜沉积技术。
CVD 包括气态前驱体反应生成薄膜。
ALD 是一种精密型 CVD，可实现原子层厚度分辨率和出色的均匀性。
5 个主要区别说明
1.基本工艺
CVD（化学气相沉积）： CVD 是一种气态前驱体在基底上发生反应形成薄膜的过程。
这种技术用途广泛，能够沉积包括金属、半导体和陶瓷在内的多种材料。
前驱体被引入沉积室，在那里发生化学反应，将所需材料沉积到基底上。
由于 CVD 能够以较高的沉积速率沉积较厚的薄膜，而且可用的前驱体种类繁多，因此常常受到青睐。
ALD（原子层沉积）： ALD 则是 CVD 的一种更精确的变体。
它采用一种自限制反应机制，原子层按顺序形成。
该工艺需要使用两种前驱体材料，而这两种材料绝不会同时出现在反应室中。
相反，它们是按顺序逐层沉积的。
这种方法可对薄膜的成分、厚度和保形性进行特殊控制，因此非常适合沉积超薄薄膜（10-50 纳米）和高纵横比结构。
ALD 尤为突出的一点是，它能生成无针孔的薄膜层，而且在复杂的几何形状和曲面上具有极佳的均匀性。
2.控制和精度
比较与区别： 虽然 CVD 和 ALD 都使用化学反应来沉积薄膜，但 ALD 的方法更加可控和精确。
ALD 分离了单个反应，因此对薄膜厚度、密度和保形性的控制更高。
这种精确性使 ALD 更适合需要非常薄而均匀的涂层的应用，尤其是复杂或高纵横比结构的应用。
相反，CVD 更适合以更快的速度沉积更厚的薄膜，而且在工艺控制和监测方面通常不那么复杂。
3.应用
总之，CVD 和 ALD 都是薄膜沉积领域的基本技术，各有其独特的优势和应用。
CVD 具有多功能性和快速性。
而 ALD 具有精确性和可控性，尤其适合纳米级和复杂表面应用。
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