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CVD（化学气相沉积）和 ALD（原子层沉积）是用于制造半导体器件和涂层的薄膜沉积技术。CVD 涉及气态前驱体反应生成薄膜，而 ALD 是一种精密型 CVD，可实现原子层厚度分辨率和出色的均匀性。
CVD（化学气相沉积）：
CVD 是一种气态前驱体在基底上反应形成薄膜的过程。这种技术用途广泛，能够沉积包括金属、半导体和陶瓷在内的多种材料。前驱体被引入沉积室，在那里发生化学反应，将所需材料沉积到基底上。由于 CVD 能够以较高的沉积速率沉积较厚的薄膜，而且可用的前驱体种类繁多，因此常常受到青睐。ALD（原子层沉积）：
ALD 则是 CVD 的一种更精确的变体。它采用一种自限制反应机制，原子层按顺序形成。该工艺需要使用两种前驱体材料，而这两种材料绝不会同时出现在反应室中。相反，它们是按顺序逐层沉积的。这种方法可对薄膜的成分、厚度和保形性进行特殊控制，因此非常适合沉积超薄薄膜（10-50 纳米）和高纵横比结构。ALD 尤为突出的一点是，它能生成无针孔的薄膜层，而且在复杂几何形状和弯曲表面上具有极佳的均匀性。
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