石墨烯的最佳基底是铜，尤其是在使用化学气相沉积（CVD）进行大规模生产时。铜之所以优越，是因为它可以实现石墨烯单层的独家沉积，这对于实现缺陷最小的高质量石墨烯至关重要。
铜是生产石墨烯的优质基底
由于铜能够促进石墨烯单层的独家生长，因此被广泛认为是在 CVD 过程中生产石墨烯的最佳基底。这种排他性至关重要，因为它能最大限度地减少多层石墨烯或其他碳结构的形成，从而降低石墨烯的电气性能。在 CVD 中使用铜基底可以生长出均匀度高、缺陷少的大面积石墨烯薄膜，这对于许多电子和光电应用来说都是至关重要的。其他基底及其局限性
虽然镍和钴等其他金属也可用作 CVD 生产石墨烯的基底，但它们的效率和质量无法与铜相提并论。例如，镍支持形成受控石墨烯层，但与铜相比，镍更容易形成多层石墨烯。钴和其他过渡金属也在探索之列，但往往存在成本、质量以及难以在不损坏石墨烯的情况下将其转移到其他基底上等问题。
非金属和混合基底
由于非金属基底对碳前驱体裂解的催化活性较弱，因此在非金属基底上直接生长石墨烯具有挑战性。高温加工、金属辅助催化或等离子体增强 CVD 等技术可以弥补这一缺陷，但在非金属基底上生长的石墨烯质量通常较低。混合基底（如石墨烯和六方氮化硼 (h-BN) 混合基底）可为特定应用提供更好的特性，但需要复杂的制造工艺。
工业和技术考虑因素
