在基底上沉积材料时,通常使用两种主要方法:化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。
化学气相沉积 (CVD) 和物理气相沉积 (PVD) 的 4 个主要区别
1.沉积方法
化学气相沉积(CVD): 在 CVD 中,反应气体被引入一个腔室,在基底表面发生化学反应。这些反应会形成一层固体薄膜。
物理气相沉积(PVD): 物理气相沉积使用物理方法将物质的状态从固态转变为气态,然后再转变为固态,不涉及化学反应。
2.沉积材料类型
化学气相沉积(CVD): 化学气相沉积通常用于沉积二氧化硅和氮化硅等电介质。该工艺包括各种类型,如常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
物理气相沉积(PVD): 物理气相沉积通常用于沉积金属,也可使用电子束蒸发等技术沉积氧化物和半导体。
3.环境影响
化学气相沉积(CVD): 由于其工艺以化学反应为基础,化学气相沉积会产生新物质,并可能产生更多污染。
物理气相沉积(PVD): PVD 被认为更环保,因为它在沉积过程中不会产生新物质,从而减少了污染。
4.用法和应用
化学气相沉积(CVD): 选择化学气相沉积的依据是应用的具体要求,包括要沉积的材料类型和所需的薄膜特性。
物理气相沉积(PVD): PVD 在注重环境可持续性的行业中日益受到青睐。
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