PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是一种比传统 CVD（化学气相沉积）更先进的技术。
解释 4 个主要原因
1.更低的沉积温度
PECVD 的工作温度比传统 CVD 低得多。
它通常在室温至 350°C 的范围内工作。
相比之下，CVD 工艺通常需要 600°C 至 800°C 的温度。
这种较低的温度对于防止涂层基底或设备受到热损伤至关重要。
这对不能承受高温的基底尤其有利。
热应力的降低也将分层或其他结构故障的风险降至最低。
2.增强不平整表面上的阶跃覆盖率
CVD 依靠气体扩散，能更好地覆盖复杂或不平整的表面。
PECVD 通过使用等离子体，在此基础上更进一步。
等离子体可环绕基底，确保即使在难以触及的区域也能均匀沉积。
这在微电子领域至关重要，因为微电子的特征可能非常精细和不规则。
要获得最佳性能，就必须进行精确而均匀的镀膜。
3.更严格的薄膜工艺控制
在 PECVD 中使用等离子体可对各种参数进行微调。
这包括调整薄膜的密度、硬度、纯度、粗糙度和折射率。
这种精确控制对于实现所需的性能特征至关重要。
这对于从半导体到光学镀膜等各种应用都至关重要。
4.更高的沉积速率
尽管 PECVD 的工作温度较低，控制能力较强，但其沉积速率也很高。
这种成膜效率提高了生产率。
它还有助于提高工艺的成本效益。
减少每个沉积周期所需的时间也是一大优势。
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