PECVD（等离子体增强化学气相沉积）优于传统的 CVD（化学气相沉积），主要是因为其沉积温度更低、在不平整表面上的阶跃覆盖率更高、对薄膜工艺的控制能力更强以及沉积速率更高。
更低的沉积温度：
与传统的 CVD 相比，PECVD 的工作温度要低得多，通常在室温至 350°C 之间，而 CVD 工艺通常需要 600°C 至 800°C 的温度。这种低温操作对于防止涂层基底或设备受到热损伤至关重要，尤其是在基底材料无法承受高温的应用中。热应力的降低也最大程度地降低了由于薄膜与基材之间热膨胀系数/收缩系数的差异而导致分层或其他结构故障的风险。增强不平整表面上的阶梯覆盖率：
CVD 依靠气体扩散，在复杂或不平整的表面上具有更好的覆盖性。然而，PECVD 在此基础上更进一步，使用了等离子体，它可以环绕基底，确保即使在无法直接看到或接触到的区域也能均匀沉积。这一点在微电子领域尤为重要，因为微电子的特征可能非常精细和不规则，需要精确和均匀的涂层。
更严格地控制薄膜工艺：
在 PECVD 中使用等离子体可对各种参数进行微调，以控制沉积薄膜的特性。这包括调整薄膜的密度、硬度、纯度、粗糙度和折射率。这种精确控制对于实现从半导体到光学镀膜等各种应用所需的性能特征至关重要。
更高的沉积速率：
