了解化学气相沉积 (CVD) 和物理气相沉积 (PVD) 溅射之间的区别对于任何参与薄膜沉积的人来说都至关重要。
需要考虑的 5 个要点
1.沉积机制
CVD： 在 CVD 中，薄膜是通过反应室中气体前驱体之间的化学反应形成的。
PVD 溅射： PVD 溅射是将目标材料中的原子物理喷射到基底上。
2.温度要求
CVD： CVD 工艺通常需要较高的温度，通常在 400 至 1000 摄氏度之间。
PVD 溅射： PVD 溅射的工作温度较低，因此适用于对温度敏感的基底。
3.应用和材料考虑因素
CVD： CVD 非常适合要求高纯度和高均匀性的应用，它可以为复杂的几何形状镀膜。
PVD 溅射： 对于低沸点或不能承受高温的基底，PVD 溅射是首选。
4.环境和安全考虑因素
CVD： CVD 涉及使用危险的前驱气体，需要小心处理和处置。
PVD 溅射： PVD 溅射是一种干法工艺，从环境和安全的角度来看更安全、更易于管理。
5.操作限制
气相沉积： CVD 受热力学和动力学因素的影响，工艺更为复杂。
PVD 溅射： PVD 溅射由于不涉及化学反应，因此通常更易于控制。
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