在基底上沉积薄层材料时，有两种常见的方法，即物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
5 个主要区别说明
1.工艺机制
物理气相沉积（PVD）： 物理气相沉积利用物理力在基底上沉积一薄层材料。
化学气相沉积（CVD）： CVD 利用化学反应达到相同的效果。
2.温度要求
PVD： 没有严格的温度要求。
CVD： 通常需要较高的温度来启动沉积所需的化学反应。
3.应用适用性
PVD： 以制造高度精确和均匀的薄膜而著称，因此适用于先进的薄膜设备。
CVD： 更常用于沉积硅等材料的薄膜。
4.健康与安全
PVD 通常不涉及危险气体和化学品的使用。
CVD： 可能涉及使用危险气体和化学品，带来健康和安全风险。
5.基本区别
PVD 和 CVD 的根本区别在于它们的沉积方法：物理沉积还是化学沉积。
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