在溅射中，增加功率的主要影响是沉积速率的直接且显著增加。 较高的功率会使等离子体中更多的离子获得能量，使它们以更大的力和频率撞击靶材。这种增强的轰击会从靶材中溅射出更多的原子，这些原子随后会传输到基板上并形成涂层，从而在更短的时间内形成更厚的薄膜。
核心关系很简单：功率越大，沉积速率越快。然而，这种速度伴随着关键的权衡，最显著的是基板加热增加以及薄膜最终特性（如应力和密度）可能发生变化。
基本机制：从功率到薄膜生长
要理解改变功率的后果，我们必须首先了解该功率如何驱动溅射过程。施加的功率是产生和维持沉积所需的等离子体环境的引擎。
为等离子体供能
无论直流还是射频，电功率都会使真空室内的惰性气体（通常是氩气）电离，从而产生等离子体。增加功率会增加这种等离子体的密度，意味着有更多高能离子可用于工作。
离子轰击和动量传递
如溅射的核心物理学所述，这些高能离子被加速射向靶材。增加的功率会导致更高的离子通量（每秒撞击靶材的离子数更多），并可能增加平均离子能量。
这导致了更强力的碰撞以及从离子到靶原子更有效的动量传递。
溅射靶原子
当这些碰撞中传递的能量超过靶原子键合能时，原子就会被溅射出来。这个过程是溅射的精髓。较高的功率水平会产生更多此类高能碰撞，从而极大地增加从靶材溅射出的原子数量，进而增加薄膜在基板上生长的速率。
理解关键的权衡
虽然增加功率是加快沉积速度的最简单方法，但它不是一个“免费”的调整。引入系统中的额外能量会产生几个次要影响，这些影响可能是有益的，也可能是有害的，具体取决于您的目标。
基板加热增加
这是最显著的副作用。来自等离子体和轰击原子的能量增加会传递到基板上，导致其温度升高。这很容易损坏对热敏感的基板，例如聚合物或有机材料，它们在离子轰击下可能会降解。
薄膜密度变化
能量更高的沉积过程可能导致更致密、更紧凑的薄膜。沉积的原子以更高的动能到达基板，使它们能够排列成更紧密的结构。这对于需要坚固涂层的应用来说可能是一个理想的结果。
薄膜应力改变
能量更高的沉积带来的缺点通常是薄膜内压应力的增加。虽然一些压应力可能是有益的，但过高的水平可能导致薄膜开裂、起皱甚至完全从基板上剥落（分层）。
杂质的可能性
虽然参考资料指出溅射容易受到真空环境杂质的影响，但非常高的功率可能会加剧这种情况。剧烈的轰击可能会加热腔室部件或溅射屏蔽和夹具材料，可能会将不需要的元素引入薄膜中。
为您的目标做出正确的选择
选择正确的功率水平需要在速度需求与薄膜质量和基板完整性要求之间取得平衡。您的决定应以沉积的主要目标为指导。
- 如果您的主要重点是最大的沉积速度： 使用您的靶材和基板在不发生开裂、熔化或在薄膜中引起不可接受的应力的情况下所能承受的最高功率。
- 如果您的主要重点是最佳薄膜质量： 从较低的功率设置开始，以确保更受控、更温和的沉积，然后小心地增加功率，在薄膜应力或热量成为问题之前找到最佳点。
- 如果您的主要重点是涂覆热敏感基板： 您必须优先考虑低功率设置，以防止热损伤，即使这意味着更长的工艺时间。
最终，功率是沉积速度的主要控制阀，但必须仔细权衡最终薄膜的热和结构要求。
摘要表：
| 增加功率的影响 | 关键影响 |
|---|---|
| 沉积速率 | 显著增加 |
| 基板加热 | 增加（有损坏风险） |
| 薄膜密度 | 通常增加 |
| 薄膜应力 | 增加（通常为压应力） |
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