溅射工艺的局限性可归纳如下：
1) 只能溅射电导体：溅射过程需要形成一个对立场来停止溅射过程。这意味着只有能导电的材料才能溅射。非导电材料无法形成对立场，因此无法溅射。
2) 溅射率低：溅射工艺的溅射率很低，因为只能形成少量氩离子。这限制了沉积过程的效率和速度。
3) 薄膜结构难以与升华结合：溅射的扩散传输特性使得在沉积过程中很难完全限制原子的去向。这可能导致污染问题，并使溅射与升华技术相结合来构建薄膜具有挑战性。
4) 污染和杂质引入：当惰性溅射气体进入生长薄膜时，溅射会在基底中引入杂质。这会影响沉积薄膜的质量和纯度。
5) 资本支出高：溅射工艺需要较高的资本支出，这对于某些预算有限的应用或行业可能是一个限制。
6) 某些材料的沉积率低：某些材料（如二氧化硅）在溅射时的沉积率相对较低。这会限制这些材料溅射工艺的效率和生产率。
7)有机固体降解：有机固体很容易在溅射过程中因离子轰击而降解。这限制了溅射法对这些材料的适用性。
除上述限制外，值得一提的是，溅射工艺还具有一些优点，如薄膜致密性更好、基底上的残余应力更小、沉积薄膜的浓度与原材料相似。不过，上述局限性是需要考虑和解决的因素，以便针对特定应用优化溅射工艺。
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