石墨烯生长的低温可以低至 725°C，将 Ni 薄膜从 900°C 冷却到 725°C 的过程就证明了这一点，该过程在薄膜表面形成了 1.7 层石墨烯。这一温度大大低于典型的热解分解温度，后者需要 1000°C 以上。在化学气相沉积（CVD）过程中使用金属催化剂基底有助于降低反应温度，促进碳前体的分解和石墨烯的形成。
该过程包括在催化剂表面吸附碳前体，然后将其分解成各种碳物种，这些碳物种是石墨烯生长的基石。这种方法在低压 CVD 系统中尤为有效，由于油气污染的存在，即使很低的分压也能促进石墨烯的成核和生长。
此外，由于苯和萘等液态或固态碳前驱体比甲烷更容易分解，因此使用它们可以促进低温生长。不过，这些前驱体也会吸附在系统腔室和管道的内壁上，可能导致污染问题，影响系统可靠性和生产重复性。
总之，虽然石墨烯的生长传统上需要高温，但催化剂辅助 CVD 技术的进步以及特定碳前驱体的使用，使得石墨烯的合成温度大大降低，可低至 725°C。这一发展对于降低能源成本和提高石墨烯生产在各种应用中的可行性至关重要。
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