化学气相沉积（CVD）的压力会因使用的具体方法而有所不同。
在化学气相沉积金刚石生长过程中，通常在低压下进行，压力范围为 1-27 千帕（0.145-3.926 磅/平方英寸；7.5-203 托）。在这种低压环境下，气体可以进入一个腔室，然后通电，为基底上的金刚石生长提供条件。
低压化学气相沉积（LPCVD）是 CVD 的另一种方法。它在 0.1-10 托的压力和 200-800°C 的温度下进行。LPCVD 包括使用专门的前驱体输送系统喷淋头向室中添加反应物。腔壁和喷淋头被冷却，而基底被加热。这将促进异质表面反应。反应完成后，使用真空泵去除副产物。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是 CVD 的另一种变体，它使用等离子体提供沉积过程所需的能量。PECVD 在 2-10 托的压力和 200-400°C 的相对低温下进行。电能用于产生中性气体等离子体，从而促进化学反应，推动沉积。
CVD 的其他变体包括 HDP CVD 和 SACVD。HDP CVD 使用密度更高的等离子体，可在腔体内进行低温沉积（80-150°C 之间）。另一方面，SACVD 在低于标准室压的条件下进行，并使用臭氧 (O3) 来催化反应。SACVD 的压力大约在 13,300-80,000 Pa 之间，沉积率很高，随着温度的升高，沉积率也会提高，直到 490°C 左右。
总的来说，化学气相沉积的压力会因使用的具体方法而异，从几托的低压到数千帕的高压不等。
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