低压化学气相沉积（LPCVD）是一种在亚大气压下用气相前驱体沉积薄膜的热工艺。
这种方法的特点是温度控制精确，可实现整个晶片的高度均匀性和出色的可重复性。
LPCVD 主要用于沉积硅、镍和各种半导体材料。
它对要求高质量、均匀薄膜的应用特别有效。
1.工艺细节
LPCVD 工艺的工作压力通常在 0.1 到 10 托之间，温度在 200 到 800 摄氏度之间。
反应物通过专门的前驱体输送系统（通常为喷淋头设计）进入沉积室。
这种设置有助于在基底上均匀分布气体。
沉积室壁和喷淋头被冷却，而基底被加热，以促进异质表面反应。
反应完成后，使用真空泵将副产品抽空。
2.应用
LPCVD 广泛应用于电子行业，如电阻器、电容器电介质、MEMS（微机电系统）和抗反射涂层的生产。
这种工艺因其能够生产具有高残余应力和厚度梯度的薄膜而特别受青睐。
这些特性对于微机电系统设备来说并不理想，但在其他应用中却很有效。
3.与其他沉积方法的比较
与等离子体增强化学气相沉积（PECVD）相比，LPCVD 的工作温度更高，而且在沉积氮化硅薄膜时不需要硅基底。
LPCVD 的薄膜厚度直接取决于温度，温度越高，薄膜越厚。
这与 PECVD 形成鲜明对比，后者的沉积速率更高，灵活性更大，但工作温度更低。
4.总结
总之，LPCVD 是半导体行业的一项关键技术，因其精确的温度控制和生产高质量、均匀的薄膜而闻名。
尽管它在某些领域（如微机电系统设备制造）存在局限性，但它特别适用于对薄膜特性的精确控制至关重要的应用领域。
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