半导体的物理气相沉积（PVD）工艺是将材料薄膜沉积到基底上的关键技术。
该工艺包括三个主要步骤：材料汽化、蒸汽传输和蒸汽在基底上的凝结。
在半导体制造中，PVD 对形成结所需的 n 型和 p 型材料薄层至关重要。
4 个关键步骤详解：半导体中的 PVD 过程
1.材料气化
使用蒸发或溅射等物理方法将待沉积材料转化为蒸汽。
在蒸发法中，材料被加热到其蒸发点。
在溅射法中，材料被高能粒子轰击。
这一步骤至关重要，因为它决定了沉积薄膜的纯度和成分。
2.蒸汽传输
然后将蒸汽从源头输送到基底的低压区域。
这通常是在高真空环境中进行的，以防止与空气分子发生相互作用，并确保沉积清洁。
3.在基底上凝结
气化的材料凝结在基底上，形成一层均匀的薄层。
冷凝过程中的温度和压力等条件会影响薄膜的特性，包括厚度和与基底的附着力。
4.在半导体领域的应用和重要性
由于 PVD 能够生成精确的薄材料层，因此在半导体制造中得到广泛应用。
这些材料层对于形成现代电子设备所需的复杂结构至关重要。
PVD 可确保这些材料层的高质量和最小缺陷，这对半导体器件的性能和可靠性至关重要。
与 CVD 的比较
虽然化学气相沉积（CVD）和 PVD 都用于沉积薄膜，但它们在方法上有所不同。
PVD 使用物理方法蒸发和沉积材料。
CVD 采用化学反应沉积材料。
两种方法的目的相似，但如何选择取决于材料特性、工艺复杂性和成本等因素。
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