气相沉积是一种通过沉积气态材料在基底上形成薄膜的技术。这一过程通常在真空或受控气体环境中进行，以确保沉积材料的均匀分布和纯度。该技术大致可分为三大类：化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和等离子体沉积。
化学气相沉积（CVD）： 在化学气相沉积过程中，基底被置于充满气体前驱体的反应室中。这些气体与基底材料发生反应，形成所需的涂层。该过程包括三个关键步骤：挥发性化合物的蒸发、蒸汽的热分解或化学反应以及反应产物在基底上的沉积。CVD 需要相对较高的温度（约 1000°C）和从几托到高于大气压的压力。
物理气相沉积（PVD）： 物理气相沉积涉及材料从凝结态到气相的转变，通常是通过溅射、蒸发和在惰性气氛中进行热处理等过程。常用的技术有真空热蒸发和电子枪沉积。这些方法可以沉积各种材料，包括金属、半导体和复合材料。然而，由于离子撞击基底表面的能量较低，基底通常需要加热到高温（250°C 至 350°C）才能获得令人满意的微观结构。
等离子沉积： 这种方法是将涂层气体过热成离子形式，然后与零件的原子表面反应，通常在高压下进行。这种工艺可提高材料的反应性和沉积效率。
上述每种技术都具有独特的优势，并根据应用的具体要求进行选择，例如需要沉积的材料类型、所需的薄膜厚度和纯度以及操作条件。
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