溅射镀膜通常在 mTorr 范围内的压力下进行，具体为 0.5 mTorr 至 100 mTorr。在溅射过程中，目标材料受到来自等离子体（通常是氩气）的离子轰击，导致目标材料中的原子喷射出来并沉积到基底上。
说明：
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基底压力和气体导入： 在溅射过程开始之前，真空室被抽真空至基压，通常在 10^-6 毫巴或更低的范围内。这种高真空环境可确保表面清洁，并将残留气体分子的污染降至最低。达到基压后，溅射气体（通常为氩气）被引入腔室。气体流量变化很大，从研究环境中的几个 sccm 到生产环境中的几千个 sccm 不等。
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溅射过程中的操作压力： 溅射过程中的压力控制在 mTorr 范围内，相当于 10^-3 到 10^-2 毫巴。这一压力至关重要，因为它会影响气体分子的平均自由路径和溅射过程的效率。在这些压力下，平均自由路径相对较短，约为 5 厘米，这会影响溅射原子到达基底的角度和能量。
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压力对沉积的影响： 在这些压力下，加工气体的密度很高，导致溅射原子与气体分子之间发生多次碰撞，使原子以随机角度到达基底。这与热蒸发形成鲜明对比，热蒸发时原子通常以正常角度接近基底。基底附近存在工艺气体也会导致气体被吸收到生长的薄膜中，从而可能造成微结构缺陷。
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电气条件： 在溅射过程中，对作为阴极的目标材料施加直流电流。该电流通常在 -2 至 -5 千伏之间，有助于电离氩气并加速离子向靶材移动。与此同时，作为阳极的基底也会带上正电荷，吸引溅射原子并促进其沉积。
总之，溅射镀膜过程中的压力被严格控制在 mTorr 范围内，从而优化了溅射过程，实现了材料在基底上的高效和有效沉积。这种压力控制对于管理溅射原子与工艺气体之间的相互作用、确保沉积薄膜的质量和性能至关重要。
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