等离子体沉积，尤其是等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等工艺，通常在 250 至 350°C 的温度范围内进行。
这一温度范围远低于传统的高温炉工艺，后者的工作温度通常在 1000°C 以上。
PECVD 的低温是通过使用等离子体来实现的，等离子体可以促进化学反应，并允许在基底上沉积材料，否则较高的温度可能会损坏基底。
该工艺首先将沉积室抽空至极低的压力。
接着，氢气等气体被冲入沉积室，以去除大气中的污染物。
然后生成并稳定等离子体，通常使用微波功率和调谐器来优化条件。
使用光学高温计对基底温度进行实时监控。
等离子体的特点是电离原子或分子的比例很大，工作压力从几毫微到几托尔不等。
电离率从电容放电中的 10^-4 到高密度感应等离子体中的 5-10%不等。
使用等离子体的主要优势之一是，它允许电子达到非常高的温度（数万开尔文），而中性原子则保持在更低的环境温度下。
电子的这种高能状态使复杂的化学反应和自由基的产生能够在比仅通过热手段低得多的温度下进行。
在 PECVD 中，等离子体通常由电极间的放电点燃，从而在基底周围形成等离子体鞘。
等离子鞘产生的热能可推动薄膜沉积所需的化学反应。
高能电子在等离子体中引发的反应导致材料在基底上沉积，副产物被解吸并从系统中清除。
在沉积过程中使用等离子体，可以在比传统方法低得多的温度下控制厚度、硬度和折射率等材料特性。
这对于在对温度敏感的基底上沉积材料尤其有利，因为它降低了基底损坏的风险，并扩大了可处理的材料和应用范围。
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