CVD 或化学气相沉积是一种通过在基底上沉积材料来制造薄膜的工艺。这是通过气相化学反应实现的，可沉积具有特定性能的各种薄膜材料。该工艺通常在一个包含基底和含有反应物分子的气体或蒸汽的腔室中进行。
CVD 工艺概述：
CVD 包括激活气态反应物和随后的化学反应，从而在合适的基底上形成稳定的固体沉积物。化学反应所需的能量可由各种来源提供，如热、光或放电，具体取决于所使用的 CVD 类型（热、激光辅助或等离子辅助）。沉积过程可包括均相气相反应和异相化学反应，最终形成粉末或薄膜。
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详细说明：气态反应物的活化：
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CVD 的第一步是活化气态反应物。这些反应物通常以气体或蒸汽的形式引入沉积室。活化过程包括提供启动化学反应所需的能量。这种能量可以是热能（热）、光能（光）或电能（等离子体），具体取决于所使用的特定类型的 CVD。
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化学反应：
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一旦反应物被激活，它们就会发生化学反应。这些反应可能发生在气相中（均相反应），也可能发生在基质表面（异相反应）。反应类型取决于反应室的条件和反应物的性质。形成稳定的固体沉积物：
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这些化学反应的产物会在基底上形成稳定的固体沉积物。这种沉积物就是薄膜材料，是 CVD 工艺的最终产品。薄膜的特性，如厚度、均匀性和成分，可通过调整工艺参数（如温度、压力和反应气体成分）来控制。
CVD 工艺类型：
