气相沉积是一种将材料薄膜沉积到基底上的工艺。气相沉积有不同的方法，但最常见的是化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。
在化学气相沉积法中，挥发性前驱体被注入一个真空室中。将室加热到反应温度，使前驱体气体发生反应或分解成所需的涂层。然后，反应产物与材料表面结合，形成薄膜。这种方法可以精确控制沉积过程，并能生产大量薄膜。
另一方面，物理气相沉积法利用物理过程沉积薄膜。在这种方法中，目标材料首先从固态蒸发成等离子体或离子。然后将气化的材料转移到基底表面，使其凝结并成长为薄膜。物理气相沉积可通过热蒸发、溅射或电子束蒸发等不同技术完成。
热蒸发是利用加热元件或电子束产生的热能使目标材料气化。气化后的材料通过高真空传送并沉积到基底上，在基底上凝结并成长为固体薄膜。这种方法通常用于沉积纯金属、非金属、氧化物和氮化物。
溅射是物理气相沉积中使用的另一种技术。它是用高能离子轰击目标材料，使原子从目标表面喷射出来。这些喷出的原子沿直线运动，沉积到基底上，形成薄膜。溅射可采用直流或射频模式，具体取决于沉积工艺的要求。
总的来说，气相沉积系统的工作原理是将目标材料转化为蒸汽或等离子体，将其输送到基底，使其凝结并生长为薄膜。沉积方法和参数（如腔室压力、基底温度和沉积时间）的选择会影响沉积材料的物理性质和薄膜厚度。气相沉积广泛应用于半导体制造、光学镀膜和薄膜太阳能电池等多个行业。
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