单层石墨烯主要通过化学气相沉积（CVD）工艺生产。
这种方法是在特定的温度、气流和压力条件下，将碳原子受控地沉积到基底（通常是铜箔）上。
该过程经过精心调控，以确保形成缺陷最小的均匀单层石墨烯。
5 个关键步骤说明
1.CVD 工艺设置
石墨烯合成的 CVD 工艺通常使用甲烷 (CH4) 和氢气 (H2) 作为气源。
这些气体被引入 CVD 反应器，铜箔作为反应器的基底。
选择铜是因为它对碳有很高的溶解度，有助于石墨烯的形成。
2.温度和气体流量控制
反应器内的温度受到严格控制，通常在 900 到 1000 摄氏度之间。
这种高温有利于甲烷解离成碳原子和氢原子。
氢原子起到还原剂的作用，而碳原子则沉积在铜表面。
气体流速也至关重要，它影响着碳沉积的速度和所形成石墨烯的质量。
3.石墨烯的形成
当碳原子沉积到铜表面时，它们会排列成石墨烯特有的六边形晶格结构。
该过程受到控制，以确保只形成单层石墨烯。
这是通过优化冷却速度和整体工艺参数来实现的，以防止形成额外的层。
4.选择性去除多层石墨烯
为确保单层石墨烯的纯度，我们采用了一些技术，例如使用铜箔包裹的碳吸收钨（W）箔。
这种方法可选择性地去除双层或三层石墨烯，保留单层石墨烯。
5.转移到所需基底
石墨烯生长完成后，通常需要将其转移到其他基底上，以用于各种应用。
这一转移过程必须小心谨慎，以避免引入缺陷或污染物。
根据不同的应用要求，可采用溶解基底转移或分离基底转移等技术。
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