低压化学气相沉积（LPCVD）的缺点包括清洁度问题、表面粗糙、表面清洁困难、需要精确的温度控制、气体夹带以及使用有毒有害气体。此外，人们普遍缺乏对 CVD 过程的了解，而且大多数金属都缺乏合适的气相种类。
清洁问题： 在 LPCVD 中，由于气相反应而非表面反应会产生颗粒，从而导致沉积薄膜受到污染。这种污染会影响设备的性能，尤其是在半导体制造等敏感应用中。
粗糙表面： LPCVD 可能导致表面粗糙，不适合某些需要光滑表面的应用。这种粗糙会影响设备的性能和可靠性。
表面清洁挑战： 在 LPCVD 中，沉积前的表面清洁过程可能具有挑战性。有效的表面制备对于确保沉积薄膜的良好附着力和质量至关重要，但低压环境会使这一过程复杂化。
精确的温度控制： LPCVD 需要精确控制温度，以确保达到所需的薄膜特性和厚度。在大型基底上保持均匀的温度对技术要求很高，可能需要复杂的设备，从而增加了工艺的复杂性和成本。
气体截留： 沉积过程中可能会发生气体夹带，导致薄膜出现缺陷。这是 LPCVD 的常见问题，需要对工艺参数进行仔细管理，以将其最小化。
使用有毒有害气体： LPCVD 通常需要使用有毒、易爆或腐蚀性气体。安全处理这些气体对保护人类健康和环境至关重要，但同时也会增加工艺的运营成本和复杂性。
缺乏对 CVD 工艺的了解： 与标准氧化等更成熟的工艺相比，CVD 工艺相对较新，人们对其了解较少。这种知识的缺乏会导致效率低下，并且难以针对不同的材料和应用优化工艺。
缺少合适的气相物种： 在 LPCVD 中，适合许多金属的气相种类有限。这种稀缺性会限制可使用的材料以及 LPCVD 的适用范围。
总之，虽然 LPCVD 具有较低的工作温度和更好的薄膜均匀性等优点，但这些缺点也凸显了要充分发挥其在各种应用中的潜力所必须应对的挑战。
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