LPCVD 或低压化学气相沉积是一种用于各行各业的技术，尤其是在半导体制造领域。然而，与任何技术一样，它也有自己的一系列挑战。以下是您需要了解的低压化学气相沉积的六大缺点。
您需要了解的 6 大挑战
1.细菌污染风险
细菌污染是 LPCVD 工艺中的一个重大问题。尽管风险可以降到最低，但它仍然会带来健康风险并损坏电子元件。这凸显了严格清洁协议的必要性。
2.高残余应力
LPCVD 薄膜通常具有很高的残余应力和整个薄膜的梯度应力。这在微机电系统（MEMS）等应用中尤其有害，因为在这些应用中，精确的机械性能至关重要。应力会导致器件变形或失效，因此需要谨慎的工艺控制和材料选择。
3.需要高温
LPCVD 工艺通常需要较高的温度，这可能会对某些材料造成限制。高温还增加了生产系统的复杂性，可能不适合大规模生产，因为维持这样的温度不切实际或成本高昂。
4.清洁度和表面质量方面的挑战
LPCVD 工艺可能存在清洁度问题，因为粒子是由气相反应而非表面反应产生的。这可能导致表面粗糙，需要额外的清洁步骤，使工艺复杂化，影响效率和成本效益。
5.使用有毒气体
LPCVD 通常涉及有毒有害气体的使用，会带来安全风险，需要谨慎的处理和处置程序。这增加了工艺的复杂性，并增加了对环境的潜在影响。
6.对 CVD 工艺的了解和控制有限
与标准氧化等更成熟的工艺相比，包括 LPCVD 在内的 CVD 工艺相对较新，人们对其了解较少。这种全面知识的缺乏会导致工艺结果的不确定性，以及难以实现一致的结果。
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