化学气相沉积（CVD）是一种从引入前驱气体到在基底上形成固态薄膜的过程，其中涉及几个关键步骤。以下是这些步骤的详细分解：
化学气相沉积的 9 个步骤是什么？
1.将反应气态物质输送到表面
前驱气体被引入沉积室。
它们通过扩散作用被输送到基底表面。
这意味着气体从高浓度区域向低浓度区域移动，直至到达基底。
2.2. 物种在表面的吸附
前驱体气体到达基底后，会吸附在基底表面。
吸附是指气体、液体或溶解固体中的原子或分子吸附在表面上。
这一步至关重要，因为它启动了薄膜形成所需的化学反应。
3.异相表面催化反应
被吸附的物质在基底表面发生化学反应。
这些反应通常由基底材料或腔室内的其他物质催化。
这些反应会形成新的化学物质，成为生长薄膜的一部分。
4.物种向生长点的表面扩散
在基底表面形成的化学物质会扩散到特定的位置，从而融入生长薄膜。
这种扩散对于薄膜在基底表面均匀生长至关重要。
5.薄膜的成核和生长
在生长点上，各种物质开始成核，形成小簇，然后成长为连续的薄膜。
成核是薄膜形成的初始阶段，在这一阶段会形成小颗粒或核，然后这些小颗粒或核逐渐长大并凝聚成一个连续的薄膜层。
6.气态反应产物的解吸和反应产物离开表面的迁移
随着薄膜的生长，会形成化学反应的副产品。
这些副产物必须从基底表面清除，以防止干扰沉积过程。它们从表面解吸并被运离基底，通常是通过将前驱气体带到表面的相同机制。7.蒸发待沉积物质的挥发性化合物
