金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 工艺包括几个关键步骤，可实现高质量半导体材料的沉积。这些步骤包括前驱体选择和输入、气体输送和混合以及实际沉积过程。每个步骤对于精确控制沉积薄膜的成分和特性都至关重要。
前驱体选择和输入：
MOCVD 工艺的第一步是选择合适的金属有机前驱体和反应气体。前驱体是金属有机化合物，根据所需的沉积材料进行选择。这些前驱体通常包含一个与一个或多个有机配位体结合的金属中心。反应气体通常为氢、氮或其他惰性气体，用于将这些前驱体输送到反应室中。前驱体和气体的选择至关重要，因为它会直接影响沉积材料的质量和性能。气体输送和混合：
前驱体和气体一旦选定，就会在反应室入口处进行混合。这种混合通常是受控的，以确保精确的流速和压力，这对保持沉积过程的一致性至关重要。然后将混合物引入反应室，在反应室中，前驱体通常通过等离子体或光进行热分解或活化。
沉积过程：
在反应室中，前驱体的金属中心与其他前驱体分子或基底发生反应，形成所需的材料。在此过程中，有机配体作为副产品被释放出来。MOCVD 尤其适用于沉积 CMOS 设备中的化合物半导体、高质量电介质薄膜和金属膜。该工艺可精确控制成分和掺杂水平，这对最终设备的性能至关重要。先进的控制和精度：
