在化学气相沉积（CVD）过程中，基底是沉积薄膜的基础。
这些基底通常是晶片或其他固体材料。
该过程包括将这些基底暴露在挥发性前驱体中，这些前驱体在基底表面发生反应和/或分解，从而形成所需的沉积物。
5 个要点说明
1.CVD 中基底的定义
在 CVD 中，基底是指进行沉积过程的基础材料。
这种材料通常是晶片，即用于电子和微电子领域的半导体材料（如硅）薄片。
2.基底材料的重要性
基底材料的选择至关重要，因为它必须能够承受 CVD 工艺的条件。
这些条件包括高温和化学反应环境。
3.挥发性前驱体的作用
在 CVD 过程中，基底会接触到一种或多种挥发性前驱体。
这些前驱体通常呈气态，被引入反应室，与加热的基底接触后发生反应和/或分解。
反应的结果是在基底表面沉积一层薄膜或涂层。
4.沉积材料的类型
薄膜可由各种材料组成，包括硅化合物（如二氧化硅、碳化硅、氮化硅）、碳材料（如碳纳米管、石墨烯）、金属（如钨、氮化钛）和各种高介电材料。
5.使用惰性气体
CVD 工艺还涉及使用氩气或氦气等惰性气体。
这些气体用于将挥发性前驱体带入反应室，防止发生氧化等不必要的表面反应，以免前驱体降解或影响沉积薄膜的质量。
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