从本质上讲，半导体制造依赖于三种主要的沉积方法来构建微芯片的复杂层：化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）。CVD利用气态前驱体的化学反应形成固体薄膜，PVD将材料从源头物理转移到晶圆上，而ALD则一次只构建一个原子层，以实现最终的精度。
在这些方法之间的选择绝非随意。这是一个基本的工程决策，需要在薄膜质量、厚度控制和覆盖范围的需求与制造速度和热预算的实际限制之间取得平衡。理解这种平衡是理解现代芯片制造的关键。
核心原理：从原子开始构建
沉积是将各种材料的薄膜应用于半导体晶圆的过程。将其视为在原子尺度上进行“绘画”，其中每一层在芯片的最终电路中都起着特定的作用。
这些层可以是绝缘的（如二氧化硅）、导电的（如铜或铝）或半导体的（如掺杂硅）。选择哪种方法沉积每一层取决于材料的特性及其在器件架构中的作用。
方法一：化学气相沉积（CVD）
CVD是一种多功能且广泛使用的技术，用于制造高质量、均匀的薄膜。它是芯片中许多绝缘层和半导体层沉积的主力军。
CVD的工作原理
在CVD过程中，晶圆被放置在反应腔中并加热。然后引入含有最终薄膜所需原子的挥发性前驱体气体。这些气体在加热的晶圆表面发生反应或分解，留下固体薄膜。
关键特性
CVD的主要优点是它能够形成高度保形（conformal）的薄膜。这意味着它可以均匀地涂覆复杂的三维结构，这在晶体管缩小和变得更加复杂时至关重要。
常见变体：PECVD和LPCVD
广义的CVD类别包括几种专业技术：
- 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）：该方法使用富含能量的等离子体来驱动化学反应。这使得沉积可以在更低的温度下进行，这对于防止损坏晶圆上先前制造的组件至关重要。
- 低压化学气相沉积（LPCVD）：通过在接近真空的状态下操作，LPCVD减少了不必要的汽相反应。这使得薄膜具有非常高的纯度和在整个晶圆上的出色均匀性。
方法二：物理气相沉积（PVD）
PVD，也称为溅射，与CVD有着根本的不同。它不依赖于化学反应，而是使用物理过程来转移材料。
PVD的工作原理
由所需沉积材料（例如铝或钛等金属）制成的固体“靶材”放置在真空室中。高能离子，通常来自氩气等惰性气体，被射向该靶材。轰击物理上将原子从靶材上撞击下来，然后这些原子传播并覆盖在晶圆上。
关键特性
PVD是一个视线（line-of-sight）过程。溅射的原子以相对直线传播，就像喷漆罐中的油漆一样。这使得它非常适合在平面上沉积薄膜，但在涂覆深沟槽或复杂地形的侧壁方面效果不佳。它最常用于沉积用于布线的金属层。
方法三：原子层沉积（ALD）
ALD是最先进的沉积技术，在薄膜厚度和保形性方面提供了无与伦比的控制。它可以被认为是CVD的一种高度精确的子类型。
ALD的工作原理
ALD通过一系列自限制性反应，一次只构建一个原子层来形成薄膜。
- 引入第一种前驱体气体，与晶圆表面反应形成一个单一的、均匀的单分子层。不再发生进一步反应。
- 对腔室进行清洗，以去除任何多余的前驱体气体。
- 引入第二种反应气体，仅与第一步形成的单分子层反应，完成最终薄膜的一个完整层。
- 再次清洗腔室，并重复该循环，直到达到所需的厚度。
关键特性
结果是具有原子级厚度控制的完美保形薄膜。虽然这种精度是无与伦比的，但该过程比CVD或PVD慢得多，因此仅适用于先进晶体管中最关键、最薄的层。
理解权衡
沉积方法的选择涉及对相互竞争的优先级的关键评估。没有一种方法适用于所有应用。
质量和保形性
ALD提供最高质量和完美的保形性，这对于包裹现代晶体管的3D栅极至关重要。CVD提供非常好的保形性和质量，适用于大多数绝缘层和半导体层。PVD由于其视线特性，保形性最低。
沉积速度（吞吐量）
PVD和CVD是相对快速的过程，适用于沉积制造中所需的较厚薄膜，吞吐量至关重要。相比之下，ALD极其缓慢，因为它是一层原子一层原子地构建薄膜。
加工温度
沉积所需的热量可能会影响或损坏芯片上现有的结构。PECVD和PVD是宝贵的低温选择。其他方法，如LPCVD，通常需要更高的温度才能实现所需的薄膜特性，这限制了它们在制造流程中的使用时间。
为您的目标做出正确的选择
选择沉积方法需要将该技术的优势与所构建的薄膜层的特定架构要求相匹配。
- 如果您的主要关注点是终极精度和复杂3D结构上的完美覆盖： 尽管速度慢，但ALD是用于最关键的薄栅极氧化层和高介电常数电介质的必要选择。
- 如果您的主要关注点是以合理的速度获得高质量、均匀的薄膜： CVD及其变体（如用于较低温度的PECVD）是行业中大多数介电层和多晶硅层的支柱。
- 如果您的主要关注点是快速、经济高效地沉积金属： PVD（特别是溅射）是创建连接芯片的金属互连的首选方法。
最终，现代半导体是一个由数十层组成的复杂“三明治”，每一层都使用最适合该工作的特定工具进行沉积。
摘要表：
| 方法 | 全称 | 关键原理 | 主要用例 | 关键优势 |
|---|---|---|---|---|
| CVD | 化学气相沉积 | 来自气体的化学反应 | 绝缘层和半导体层 | 复杂结构上的出色保形性 |
| PVD | 物理气相沉积 | 材料的物理转移（溅射） | 金属布线层 | 速度快，金属沉积经济高效 |
| ALD | 原子层沉积 | 自限制性表面反应 | 超薄、关键层（如栅氧化层） | 原子级厚度控制和完美保形性 |
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