薄膜沉积技术是将薄层材料应用到基底上的方法。
这些层的厚度通常在纳米到微米之间。
这些技术在电子、光学、医疗设备和航空航天等各行各业都至关重要。
它们可以改变材料的表面特性，从而增强其功能。
薄膜沉积主要分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）两类。
化学气相沉积（CVD）：一种多功能方法
化学气相沉积是指气态前驱体在基底上发生反应，形成固态薄膜。
这种工艺用途广泛，可用于沉积多种材料。
标准 CVD
标准 CVD 是使用反应气体在高温下发生反应，沉积薄膜。
等离子体增强型 CVD (PECVD)
PECVD 使用等离子体来增强化学反应，从而降低沉积温度。
原子层沉积 (ALD)
原子层沉积（ALD）是 CVD 的一种变体，它一次沉积一个原子层，确保对薄膜厚度和均匀性的精确控制。
物理气相沉积 (PVD)：物理转移过程
PVD 技术涉及材料从源到基底的物理转移。
蒸发
材料被加热至汽化，然后在基底上凝结。
溅射
用离子轰击目标材料，喷射出原子，然后沉积到基底上。
电子束蒸发
使用聚焦电子束加热和蒸发材料，然后将其沉积到基底上。
上述每种技术都有其优点，并根据应用的具体要求进行选择。
这些要求包括要沉积的材料、所需的薄膜特性和基底类型。
薄膜沉积对于创造具有定制特性的先进材料至关重要。
这使其成为现代制造和工程中的一项关键技术。
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